次世代EVの熱問題を過去にするか。安価なアルミから「ウルトラワイドバンドギャップ半導体」基板を直接育てる新技術を東北大学が開発

次世代半導体として期待される窒化アルミニウムは、優れた耐電圧性と放熱性を両立するが、高品質な単結晶の製造が困難であった。東北大学の研究グループは、熱力学的駆動力を極限まで制御する手法により、安価な原料から直接単結晶を成長させることに成功した。