Samsung、3D積層型FETを実証：GAAの次はトランジスタを縦に積む段階へ

Samsungは、n型とp型のトランジスタを上下に積層する3D積層型FETの実証に成功し、GAA以降の次世代微細化に向けた重要な成果を挙げた。42nmのゲートピッチで高密度化と電流制御の両立を示しており、将来的なロジックセルの面積削減が期待される。