ASML、TSMC、imecが2D材料トランジスタの300mmウェハー統合に成功：50nmピッチ到達が切り拓くポストシリコン時代

シリコンの限界を突破する次世代材料として、原子レベルで薄い2D材料を用いたトランジスタが注目されている。imecらの共同研究により、300mmウェハー上で業界標準の微細な統合プロセスが実証され、量産化に向けた大きな一歩を記した。