NEO Semiconductor、AI向け「3D X-DRAM」の概念実証に成功：HBMの限界を突破するモノリシック立体構造

AIのメモリの壁を打破するため、NEO Semiconductorが「3D X-DRAM」の概念実証に成功した。これは3D NANDの製造技術を転用し、モノリシックな立体構造でDRAMを製造する技術であり、既存のHBMの課題を解決し、容量、コスト、エネルギー効率を大幅に改善する。また、10ナノ秒未満の高速性と、JEDEC規格を15倍以上凌駕するデータ保持能力を持つ。